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Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
NBMは、電圧変換比固定(電圧調整機能なし)の非絶縁型双方向DC-DCコンバータです。この 高性能電源モジュール は単体でDC-DCソリューションを実現でき、外付けの入力フィルタや大容量コンデンサは必要ありません。その特徴に加えて、NBM2317にはホットスワップと突入電流制限の機能が内蔵されています。NBMは出力インピーダンスが低いので、高速負荷応答が可能です。
NBMシリーズには、スルーホール実装型のConverter housed in Package(ChiP™)と、表面実装型のChiP パッケージ(SM-ChiP)があり、全てのモジュールはマサチューセッツ州アンドーバーにある Vicor 最新悦のChiP™ 工場で生産されます。
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製品番号 | Datasheet | 入力電圧 (V) | 出力電圧 (V) | 出力電流(A) | Kファクター | 制御インターフェース | 負荷キャパシタ最大値 (uF) | 実装方式 | 温度 | Dimensions mm | Dimensions in. | パッケージ | カートに入れる/詳細を見る | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
製品番号: | 入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 65.0 |
Kファクター: 1/4 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Surface Mount |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 22.80 x 17.30 x 5.20mm |
Dimensions in.: 0.90 x 0.68 x 0.20in |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 40.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 10.0 - 15.0 |
出力電流(A): 80.0 |
Kファクター: 1/4 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Surface Mount |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 22.80 x 17.30 x 5.20mm |
Dimensions in.: 0.90 x 0.68 x 0.20in |
パッケージ: 2317 SM-ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 46.0 |
出力電圧 (V): 12.0 - 15.3 |
出力電流(A): 160.0 |
Kファクター: 1/3 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 46.0 |
出力電圧 (V): 12.0 - 15.3 |
出力電流(A): 160.0 |
Kファクター: 1/3 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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製品番号: | 入力電圧 (V): 36.0 - 60.0 |
出力電圧 (V): 7.2 - 12.0 |
出力電流(A): 170.0 |
Kファクター: 1/5 |
制御インターフェース: Analog |
負荷キャパシタ最大値 (uF): 3000 |
実装方式: Through Hole |
温度: -40 to +125°C |
Dimensions mm: 61.00 x 25.14 x 7.21mm |
Dimensions in.: 2.40 x 0.99 x 0.28in |
パッケージ: 6123 ChiP |
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最大98.2%の変換効率
最大272W/cm3の電力密度
並列接続で数kW出力に対応
双方向電圧変換
Achieving higher power density with good-old Si MOSFETs
Minimizing tradeoffs and workarounds using high voltages and modular power approach to power systems design give longevity to the Si MOSFET
Preparing the way ahead for a compatible EV infrastructure
Onboard conversion enables EVs to charge any station
Eliminate the 12V battery and increase EV performance
Vicor power module transient response (75A/10µs), is three times faster than 12V, in essence creating a virtual battery
Modular power delivery networks for UAVs
The key challenge we see facing engineers today is the demand for smaller, lighter-weight designs that deliver higher power